Ще в листопаді 2016 року компанія Toshiba була повна планів розширювати виробництво з випуску багатошарової флеш-пам'яті BiCS FLASH (у загальному випадку - це пам'ять типу 3D NAND), а вже до кінця січня 2017 року вона заговорила про необхідність продати частину напівпровідникового бізнесу сторонній компанії або компаніям. Всьому виною стала помилкова політика американського підрозділу Toshiba, що відповідає за атомну енергетику на території США. На щастя, заплановане на лютий 2017 року початок будівництва нового заводу Toshiba з виробництва пам'яті 3D NAND ніхто не скасував. Початок будівництва стартував у термін - 9 лютого.
Новий завод компанії отримав назву Fab 6. Будівництво і запуск підприємства в стрій пройде в два етапи. Лінії першої черги почнуть випускати флеш-пам'ять BiCS FLASH влітку 2018 року. Обсяги виробництва будуть визначені пізніше відповідно до ринкової ситуації. Як бачимо, Toshiba не має наміру тримати напівпровідниковий бізнес в загоні, хоча відчуває найсильніший за свою історію фінансовий стрес. Частково компанія розраховує залучити до інвестицій в будівництво Fab 6 свого нового виробничого партнера - компанію Western Digital, але без особистої ініціативи Toshiba цей проект міг бути відкладений в довгий ящик.
Крім заводу з випуску пам'яті поруч з новими цехами починає будуватися новий дослідницький центр Toshiba. Центр займеться розробкою технологій виробництва перспективних видів пам'яті та удосконаленням задіяних технологій випуску 3D NAND. Завершення будівництва центру очікується в грудні 2017 року. Цікаво додати, що виробництвом на заводі Fab 6 повинен буде керувати штучний інтелект. Тим самим у Toshiba розраховують помітно збільшити вихід продукції за рахунок кращої організації виробничих циклів.
Зараз Toshiba випускає 64-шару пам'ять 3D NAND TLC ємністю 256 Гбіт. У другій половині року вона планує почати виробництво 64-шарової пам'яті 3D NAND TLC ємністю 512 Гбіт. Судячи з усього, підприємство Fab 6 почне свою роботу влітку 2018 року з виробництва 64-слойних 512-Гбіт мікросхем 3D NAND.