Компанія Samsung в даний час виступає єдиним виробником пам'яті, здатним випускати 8-гігабайтні чіпи HBM2 (другого покоління). Враховуючи зростаючу потребу у високошвидкісній пам'яті в різних областях застосуваннях, наприклад, в системах штучного інтелекту і машинного навчання, у високопродуктивних обчисленнях, у флагманських графічних картах, в мережевих додатках і в обладнанні великих дата-центрів, компанія прийняла рішення збільшити обсяги випуску таких ємних чіпів HBM2.
Чіпи 8 Гбайт HBM2 виробництва Samsung являють собою збірку з восьми 8-гігабітних кристалів HBM2 і буфера, розташованого внизу стека. Вся ця конструкція «прошивається» вертикальними міжшаровими сполуками TSV (Through Silicon Via). Особливість підходу Samsung полягає в тому, що частина сполук спочатку знаходиться в пасивному стані, являючи собою якийсь резерв, необхідний для підміни проблемних шляхів і допомагає тепловідведення.
HBM2-пам'ять була вперше представлена трохи більше року тому. Завдяки використанню 4096-бітної шини пропускна здатність стека HBM2 досягає 256 Гбайт/с, що приблизно у вісім разів перевищує пропускну здатність GDDR5. Другою важливою перевагою чіпів HBM2 виступає їх висока ємність. Samsung очікує, що до кінця року саме ємні 8-Гбайт мікросхеми становитимуть більше половини обсягу випуску всієї HBM2-пам'яті.
Варто зауважити, що першою відеокартою, де використовуються саме 8 Гбайт HBM2-чіпи Samsung, стала Radeon RX Vega Frontier Edition. Володіючи 16 Гбайт відеопам'яті, вона комплектується двома мікросхемами, маркування яких видає саме продукцію Samsung.
Перспективні ігрові прискорювачі Radeon RX Vega, згідно з наявними даними, будуть розташовувати 8 Гбайт відеопам'яті.