У 2015 році компанія Samsung затіяла будівництво нового гігантського заводу з випуску напівпровідників. На будівництво та обладнання виділено вражаючу суму в $13,6 млрд. Підприємство поблизу міста Пхентхек (Pyeongtaek) розкинеться на площі 2,89 млн м2. Проектна потужність підприємства, яка буде досягнута в чотири етапи в 2019 році, складе 200 тис. 300-мм пластин на місяць. Близько половини пластин планується віддавати під випуск багатошарової флеш-пам'яті 3D NAND, що додатково зміцнить і без того міцні позиції Samsung на ринку енергонезалежної пам'яті.
Свіжим повідомленням південнокорейське видання Seoul Economy Daily рапортує, що перші лінії на новому заводі Samsung почнуть випускати серійну продукцію до початку липня. Це буде передова за нинішніми мірками 64-шара пам'ять 3D NAND. Першу серійну пам'ять з 64-шарами компанія почала випускати в обмежених обсягах наприкінці минулого року на іншому своєму заводі в Південній Кореї. Також 64-шару 3D NAND наприкінці літа минулого року мала почати випускати компанія Toshiba. Більш щільну пам'ять масово поки ніхто не випускає. Тільки в другій половині цього року до виробництва 72-шарової 256-Гбіт 3D NAND TLC приступить компанія SK Hynix.
Раніше повідомлялося, що новий завод Samsung може почати масовий випуск пам'яті 3D NAND вже в квітні, що на один квартал раніше запланованого. Судячи зі свіжого повідомлення, зробити цього не вдалося, а шкода. Пам'ять 3D NAND якраз почала зростати в ціні, тому запуск підприємства Samsung на квартал раніше був би дуже доречним. Зрозуміло, для нас, для споживачів. Для компанії Samsung відстрочка - це можливість заробити зайву копійочку на дорожчаючих операціях за 3D NAND.