Приблизно рік тому компанія Samsung показала прототип твердотільних накопичувачів на новому типі флеш-пам'яті, який вона назвала Z-NAND. До початку весни поточного року Samsung представила дослідні зразки SSD SZ985 на пам'яті Z-NAND (Z-SSD) ємністю 1 Тбайт (для користувачів доступний обсяг моделей становить 800 Гбайт). Для PCIe-накопичувача повної довжини це порівняно невеликий обсяг пам'яті, що змушує задуматися про щільність запису мікросхем Z-NAND.
За словами джерела, компанія Samsung деякий час тому почала обговорювати з клієнтами умови поставок Z-SSD. Відомо, що досвідчені екземпляри накопичувачів на своїх майданчиках вже вивчають компанії NetApp і Datera. На жаль, масового виробництва пам'яті Z-NAND і накопичувачів Z-SSD можна не чекати. Як стверджують наші південнокорейські колеги, виробництво Z-SSD заплановано на наступний рік.
Залишається нагадати, що пам'ять Z-SSD створена Samsung як альтернатива пам'яті 3D XPoint компаній Intel і Micron. Пам'ять 3D XPoint характеризується гранично малою латентністю в сфері SSD, яка для режиму читання знижена до 10 мкс. Затримки читання для накопичувача Samsung SZ985 знижені до 15 мкс.
Що стосується усталених швидкостей в режимі читання, то Samsung SZ985 як і Intel Optane DC P4800X не стали проривом, хоча в цілому обидві моделі показують значне зростання по відношенню до середньостатистичних SSD. Так, модель Samsung SZ985 показує усталені швидкості читання і записи на рівні 3,2 Гбайт/с, що визначено вище можливостей Intel Optane DC P4800X (2,4 Гбайт/с для читання і 2,1 Гбайт/с для запису). Значення IOPS для читання випадкових блоків сягає 750 тис., а для запису - 160 тис. операцій введення-виведення. В основі SZ985 лежить фірмовий контролер компанії під кодовим ім'ям Phoenix. Дворазове зростання ємності Z-SSD можна очікувати наступного року, коли компанія почне виробництво Z-NAND з двобітовим осередком.