Якими б передовими не були напівпровідникові розробки, без затверджених стандартів і керівників з тестування продуктів далеко не поїдеш. Щоб гарантувати якість товару, проектувальникам необхідно точно знати характеристики продуктів і мати можливість отримати незалежну експертну оцінку. Все це повною мірою стосується нового класу так званих широкозонних напівпровідників, стандарти яких розробляє комітет JEDEC.
Для успішного застосування силових транзисторів GaN необхідно продемонструвати як надійну роботу в додатках перетворення живлення, так і підтвердити тривалу роботу в режимах комутації. Існуючі тести для кремнієвих силових транзисторів не можуть повною мірою підходити для тестування силових транзисторів на основі нітриду галію. Представлене робочою групою комітету JEDEC керівництво JEP180 вперше з моменту поширення GaN-транзисторів дозволить оцінити надійність приладів на технологічному рівні.
У документі, який розроблявся понад два роки, містяться рекомендації щодо тестів на перемикання в прискорених режимах для визначення терміну служби транзисторів, щодо тестування в режимах підвищених робочих температур, у режимі виснаження та в інших режимах, включаючи інтегровані. Особливо цінним представлене керівництво виявиться для автомобільного і промислового ринків, де важливість підтвердження заявлених характеристик вкрай висока. І можна лише дивуватися, що дане керівництво не з'явилося десять або близько того років тому, коли силові транзистори на основі нітриду галію почали потроху з'являтися на горизонті.