Фахівці корпорації Intel передбачають, що закон Мура проживе ще як мінімум 10 років, а кількість транзисторів в мікросхемах буде подвоюватися кожні два роки. Хоча подальша мінімізація транзисторів пов'язана з істотними труднощами, інженери Intel готові їх вирішувати.
Цього місяця закону Мура - згідно з яким кількість транзисторів у мікросхемах подвоюється кожні 18-24 місяці - виповнюється півстоліття; безпрецедентний термін для промисловості, де кожне нововведення застаріває через пару років. Насправді, причиною того, чому закон Мура досі актуальний, є те, що кожен прорив у технології виробництва напівпровідників супроводжується новим проривом через 24 місяці, що дозволяє розробникам чіпів подвоювати кількість їх елементів.
«Ми бачимо приблизно на 10 років вперед, наші дослідники виявили деякі перспективні опції (для техпроцесів з лінійною роздільною здатністю літографічного обладнання в 7 нм і 5 нм)», - сказав Марк Бор (Mark Bohr), директор архітектури техпроцесів та інтеграції в Intel, під час спеціального заходу. «Ми вважаємо, що ми можемо продовжувати дотримуватися закону Мура принаймні ще 10 років».
Фахівці Intel відзначають, що так як дослідження і розвиток виробничих технологій процес здебільшого послідовний, практично неможливо точно передбачити, які виклики можуть виникнути, які з них будуть вирішені, а які можуть означати кінець закону Мура. У тому, що стосується технологій виробництва напівпровідників, Intel має горизонт близько 10 років.
"Якби ви запитали мене 10 або 20 років тому, я б дав вам ту ж відповідь: наше бачення тоді простягалося на десятиліття вперед ", - сказав пан Бор. «Було б справедливо сказати, що в кінцевому підсумку закон Мура сповільниться або підійде до свого логічного кінця, але ми не вважаємо, що це станеться в недалекому майбутньому».
Керівник розробки техпроцесів в Intel підтвердив, що компанія розглядає матеріали на основі елементів з третьої-п'ятої колонок (III-V) таблиці Менделєєва для можливого використання в каналі транзисторів замість гафнію, який використовується в чотирьох останніх технологічних процесах Intel в якості діелектрика. Пан Бор відмовився коментувати, які саме елементи розглядаються в рамках досліджень, а також не висловив будь-яких думок з приводу використання графену, або можливого використання нових транзисторних структур, таких як транзистори з круговим затвором (gate-all-around field-effect transistor, GAA FET). Вважається, що GAA FET-транзистори з двома або чотирма затворами відкриють нові можливості в масштабуванні мікросхем.
Незважаючи на те, що закон Мура вважається основоположним для напівпровідникової промисловості, слід розуміти, що в першу чергу це економічний закон. Як наслідок, він може еволюціонувати, трансформуватися або взагалі піти в іншому напрямку. Наприклад, замість того, щоб зменшувати розміри транзисторів, виробники мікросхем можуть почати встановлювати компоненти «шарами» поверх один одного, тим самим збільшуючи рівень інтеграції. Вже сьогодні мікропроцесори для мобільних телефонів мають у своєму складі шари оперативної, а також NAND флеш-типів пам'яті.
Оскільки в Intel вже досліджують можливості для освоєння 5-нм і 7-нм технологічних процесів, в той час як ASML (світовий лідер у виробництві літографічного обладнання для виготовлення мікросхем) вивчає технології, необхідні для розробки обладнання, яке буде використовуватися для виробництва чіпів з використанням 2-нм і 3-нм технологій, немає ніяких сумнівів, що закон М Тим не менш, велике питання в тому, скільки компаній будуть мати капітал на розробку нових технологій, покупку обладнання для виробництва мікросхем, а також проектування надскладних чіпів.